Утворення енергетичних зон в кристалі


НазваУтворення енергетичних зон в кристалі
Дата конвертації06.02.2013
Розмір445 b.
ТипПрезентации













Утворення енергетичних зон в кристалі











Напівпровідники – це клас речовин, які займають проміжне положення між провідниками і діелектриками. Найбільш відомими напівпровідниками є кремній, германій селен та інші. Напівпровідники – це кристалічні речовини, у яких валентна зона при повністю заповнена електронами, а ширина забороненої зони невелика.

  • Напівпровідники – це клас речовин, які займають проміжне положення між провідниками і діелектриками. Найбільш відомими напівпровідниками є кремній, германій селен та інші. Напівпровідники – це кристалічні речовини, у яких валентна зона при повністю заповнена електронами, а ширина забороненої зони невелика.

  • Розрізняють власні і домішкові напівпровідники. Власними напівпровідниками є хімічно чисті напівпровідники. Електричні властивості домішкових напівпровідників визначаються наявністю домішок, які штучно додаються в напівпровідник.



При абсолютному нулі власні напівпровідники є діелектриками, оскільки у валентній зоні всі рівні заповнені, а у зоні провідності – пусті. З підвищенням температури частина електронів з верхніх рівнів валентної зони внаслідок теплового збудження переходить на нижні рівні зони провідності. За таких умов електричне поле має можливість змінювати стан електронів, які знаходяться в зоні провідності. До того ж внаслідок утворення вакантних рівнів (дірок) в валентній зоні електрони цієї зони також можуть змінювати свою швидкість під впливом зовнішнього поля.

  • При абсолютному нулі власні напівпровідники є діелектриками, оскільки у валентній зоні всі рівні заповнені, а у зоні провідності – пусті. З підвищенням температури частина електронів з верхніх рівнів валентної зони внаслідок теплового збудження переходить на нижні рівні зони провідності. За таких умов електричне поле має можливість змінювати стан електронів, які знаходяться в зоні провідності. До того ж внаслідок утворення вакантних рівнів (дірок) в валентній зоні електрони цієї зони також можуть змінювати свою швидкість під впливом зовнішнього поля.

  • В провідності власних напівпровідників беруть участь в однаковій мірі і „дірки” і електрони.



В ідеальних напівпровідниках ширина забороненої зони зменшується і тому, збільшуються не тільки швидкості, але й кількість носіїв струму в одиниці об’єму, оскільки частина електронів переходить на більш високі рівні в зоні провідності.

  • В ідеальних напівпровідниках ширина забороненої зони зменшується і тому, збільшуються не тільки швидкості, але й кількість носіїв струму в одиниці об’єму, оскільки частина електронів переходить на більш високі рівні в зоні провідності.

  • Опір напівпровідників залежно від температури має вигляд:



З підвищенням температури відбуваються певні метаморфози в зонній структурі.. Ширина енергетичної зони залежить від середніх відстаней між електронними оболонками. При зменшенні цієї відстані розширюється енергетична зона. Теплове розширення тіл призводить до зменшення енергетичних зон. Додавання цих основних теплових ефектів призводить в одних випадках до збільшення електропровідності, а в інших – до зменшення. Так, в чистих металах відбувається розширення незаповненої зони, що рівнозначно збільшенню відстані між енергетичними рівнями в зоні провідності. Тому провідність металів із збільшенням температури зменшується. В невеликому інтервалі температур ця залежність має вигляд:

  • З підвищенням температури відбуваються певні метаморфози в зонній структурі.. Ширина енергетичної зони залежить від середніх відстаней між електронними оболонками. При зменшенні цієї відстані розширюється енергетична зона. Теплове розширення тіл призводить до зменшення енергетичних зон. Додавання цих основних теплових ефектів призводить в одних випадках до збільшення електропровідності, а в інших – до зменшення. Так, в чистих металах відбувається розширення незаповненої зони, що рівнозначно збільшенню відстані між енергетичними рівнями в зоні провідності. Тому провідність металів із збільшенням температури зменшується. В невеликому інтервалі температур ця залежність має вигляд:











КОНТАКТНІ ЯВИЩА

  • Контактними називаються явища, які виникають в околі стикання твердих тіл. Найбільше практичне значення такі явища мають в металах і напівпровідниках, де є електрони, не зв’язані з атомами.





p - n перехід

  • При контакті двох будь-яких тіл відбувається вирівнювання середньої вільної енергії всіх частинок системи, в тому числі енергії електронів і дірок, які беруть участь у створенні електропровідності. Рівень Фермі переходить межу контакту двох тіл неперервно.



Спрощена схема контактного електричного поля

  • Спрощена схема контактного електричного поля



Для самостійного вивчення

  • Надпровідність;

  • Фотопровідність напівпровідників;

  • p-n перехід;

  • p-n-р – перехід;

  • Принцип дії транзистора.





Схожі:

Утворення енергетичних зон в кристалі iconУтворення Єгипетської держави Актуалізація опорних знань учнів
Після цього уроку учні зможуть пояснювати основні причини раннього утворення держави в Єгипті
Утворення енергетичних зон в кристалі iconКонкуренція за ресурси як передумова енергоефективності Громадські слухання з питань ефективного використання енергетичних ресурсів в Україні
Громадські слухання з питань ефективного використання енергетичних ресурсів в Україні
Утворення енергетичних зон в кристалі iconІніціатива з енергоефективності в українській промисловості: Статус програми та Торгівельна Місія міжнародних постачальників енергетичних послуг до України
Статус програми та Торгівельна Місія міжнародних постачальників енергетичних послуг до України
Утворення енергетичних зон в кристалі iconДовідка Астрофізичні прояви космічних струн
Формування космологічного дефекту може бути змодельоване в лабораторії шляхом спостереження фазових переходів між фазами із різними...
Утворення енергетичних зон в кристалі iconПромислові відходи
Багаторічна енергетично-сировинна спеціалізація, а також низький технологічний рівень промисловості України поставили її в число...
Утворення енергетичних зон в кристалі iconКонцепція Закони Постанова км №106
Невідповідність територій, віднесених до зон радіоактивного забруднення, критеріям віднесення
Утворення енергетичних зон в кристалі iconМета: виявлення кращих високопродуктивних самоплідних сортів чорної смородини для зон Полісся і Лісостепу

Утворення енергетичних зон в кристалі iconЦіноутворення. Фактори, що впливають на утворення ціни. Актальність та мета дослідження
Метою дослідження є аналіз тих факторів, які впливають на утворення ціни найбільше. А також можлививих варіантів вирішення проблем,...
Утворення енергетичних зон в кристалі iconПриєднання до Європейського Енергетичного Співтовариства – головний фактор прискорення реформування енергетичних ринків України
Приєднання до Європейського Енергетичного Співтовариства головний фактор прискорення реформування енергетичних ринків України
Утворення енергетичних зон в кристалі iconПостійна температура плавлення (кристалізації) Постійна температура плавлення (кристалізації)
Анізотропія неоднаковість фізичних, оптичних, магнітних та ін властивостей від напрямку в кристалі

Додайте кнопку на своєму сайті:
dok.znaimo.com.ua


База даних захищена авторським правом ©dok.znaimo.com.ua 2013
звернутися до адміністрації
dok.znaimo.com.ua
Головна сторінка